catalog tc cp c
2013 产品目录
Passive Components
Conductive Polymer Capacitors 导电性高分子电容器
导电性高分子电容器 导电性高分子钽电容，阴极材料采用导电性高分子。 取代钽电容等使用的二氧化锰，使用导电率高的导电性高分子， 大幅度减少了等效串联电阻（ESR）。 罗姆的导电性高分子电容器，由标准封装型开始， 目前以底面电极（大容量）类型扩充了产品线。 并且，拥有新底面电极（超大容量）类型，达到小型、薄型并且大容量。
01
导电性高分子电容器
Table of Contents
导电性高分子 新底面电极型(超大容量): TCSO系列
3
导电性高分子 底面电极型(大容量): TCTO系列
5
导电性高分子 标准型 : TCO系列
7
推荐焊接条件
8
品名构成
9
卷带规格
9
安全应用指南
10
导电性高分子电容器
02
Passive Components
导电性高分子 新底面电极型(超大容量) TCSO系列
构造
概要
特点
用途
超低ESR的导电性高分子
· 小型、薄型、超大容量
· 手机
电容器，采用高封装效率
· 超低ESR、最适合去除噪音
· 数码相机/摄像机
构造，达到小型、薄型、
· 高安全性
· 便携式音乐播放设备
大容量。
· 温度特性良好
· 便携式游戏机
（使用温度范围-55°C～105°C)
· 其他要求小型·薄型化 的一般电子产品
采用新封装构造，实现更加小型、薄型、超大容量。 采用新封装构造，能够放入比已有的底面电极构造产品更大的钽元件，相比以往产品(TCTO系列)， 可以实现约2倍的大容量。 新底面电极构造型 TCSO系列
以往底面电极构造型 TCTO系列
M尺寸 (1608-09[0603]) 10μF / 6.3V
相比已有的底面电极构造产品 实现约 2 倍的大容量
M尺寸 (1608-09[0603]) 22μF / 6.3V
超低ESR、高安全性。 TCSO系列通过阴极采用导电性高分子，虽为小型、薄型却实现了超低ESR。 并且，凭借导电性高分子的特性，具备自我修复功能，不易引发故障，保持较高安全性。 内部构造 银涂层 石墨层
放大
阴极 ( 导电性高分子 ) 电介体 (Ta2O5) 阳极 (Ta)
元件
底面电极构造封装
03
导电性高分子电容器
Passive Components
产品线
M尺寸(1608规格)
PL尺寸(2012薄型规格)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
容量 (μF)
2.5
4
6.3
容量 (μF)
10
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
2.5
4
6.3
10
6.8 (685)
300
6.8 (685)
10 (106)
300
10 (106)
200
300
15 (156)
200
300
22 (226)
15 (156) 22 (226)
300
33 (336)
300
47 (476)
300
300
200
33 (336)
68 (686)
200
47 (476)
200
68 (686)
200
200
200 150/200
: 开发中
P尺寸(2012规格)
: 开发中
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
容量 (μF)
2.5
4
6.3
10
15 (156)
300
22 (226)
300
33 (336)
300 300
47 (476) 68 (686)
300
100 (107)
300
300
300 : 开发中
产品规格一览
TCSO系列 M尺寸(1608规格)
TCSO系列 PL尺寸(2012薄型规格)
ESR 漏电流 tan 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) (25°C,5min值) (at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%)
2.5 4 6.3 10
ESR 漏电流 tan 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) (25°C,5min值) (at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%)
品名
33
15
8.5
300
TCSOM0E336x
47
15
11.8
300
TCSOM0E476x
22
15
8.8
300
TCSOM0G226x
33
15
13.2
300
TCSOM0G336x
15
15
9.5
300
TCSOM0J156x
22
15
13.9
300
TCSOM0J226x
6.8
10
6.8
300
TCSOM1A685x
10
15
10
300
TCSOM1A106x
2.5 4 6.3
10
品名
47
15
11.8
200
TCSOPL0E476x
68
15
17.0
200
TCSOPL0E686x
33
15
13.2
200
TCSOPL0G336x
47
15
18.8
200
TCSOPL0G476x
22
15
13.9
200
TCSOPL0J226x
33
15
20.8
200
TCSOPL0J336x
47
15
29.7
200
TCSOPL0J476x
10
15
10.0
200
TCSOPL1A106x
15
15
15.0
200
TCSOPL1A156x
外形尺寸图
(单位 : mm)
L
规格
W1
W2
H
S
0.85±0.1
0.55±0.1
0.8±0.2
0.5±0.1
PL (2012 薄型 )
L 1.6+0.2 -0 2.0±0.2
1.25±0.2
0.85±0.2
0.9±0.1
0.5±0.1
P (2012)
2.0±0.2
1.25±0.2
0.85±0.2
1.2Max
0.5±0.1
M (1608)
H
W1 W2 S
S
导电性高分子电容器
04
Passive Components
导电性高分子 底面电极型 ( 大容量 ) TCTO系列
构造
概要
特点
用途
这是将超低ESR的导电性高分子
· 小型、薄型、大容量
· 笔记本电脑/周边设备
钽电容器结合实现小型、薄型、
· 丰富的封装产品线
· DSC/DVC
[M规格(1608)～A规格(3216)]
大容量的底面电极构造封装的 超高性能系列。
超低ESR、高安全性
· 汽车导航仪
· 超低ESR、最适合去除噪音
· 便携式游戏机
· 温度特性良好
· 投影仪
(使用温度范围-55°C～105°C)
· 一般电子设备
内部构造
银涂层 石墨层
放大
TCO系列通过将销路很好的导电性高分子型“超低ESR” “高安全性”
阴极 ( 导电性高分子 ) 电介体 (Ta2O5)
结合底面电极构造封装，进一步实现了小型、薄型、大容量。
元件
阳极 (Ta)
底面电极构造封装
产品线
M尺寸(1608规格) 容量 (μF)
P尺寸(2012规格)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
2.2 (225)
500
2.2 (225)
3.3 (335)
500
3.3 (335)
☆300
3.3 (335)
☆200
☆500
4.7 (475)
☆300
4.7 (475)
☆200
☆500
6.8 (685)
☆300
6.8 (685)
☆200
☆500
10 (106)
300
10 (106)
☆200
15 (156)
☆300
15 (156)
☆200
4
6.3
6.8 (685) 10 (106)
☆500
15 (156) ☆500
☆500
2.5
4
6.3
22 (226)
33 (336)
33 (336)
47 (476)
47 (476)
☆300
68 (686)
68 (686)
☆300
100 (107)
100 (107)
☆300
☆300
22 (226)
☆300
33 (336)
额定电压 (V, DC) 2.5
4
6.3
10
2.5
4
6.3
10
☆200 ☆200
47 (476)
☆300
: 开发中
容量 (μF)
10
2.2 (225)
22 (226) ☆500
AL尺寸(3216薄型规格)(ESR 单位 : mΩ)
容量 (μF)
额定电压 (V, DC)
10
2.5
4.7 (475)
☆200
68 (686)
☆200
100 (107)
☆200
200
☆200 ☆70
: 开发中
A尺寸(3216规格) 容量 (μF)
(ESR 单位 : mΩ) 额定电压 (V, DC)
2.5
4
6.3
10
16
20
25
: 开发中
BL尺寸(3528薄型规格) 容量 (μF)
4.7 (475)
4.7 (475)
6.8 (685)
6.8 (685)
10 (106)
10 (106)
15 (156)
15 (156)
15 (156)
☆200
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC) 2.5
4
6.3
10
6.8 (685)
☆200
10 (106)
☆200
200
22 (226)
22 (226)
33 (336)
200
33 (336)
33 (336)
☆100 ☆100
68 (686) 100 (107) ☆200
200
47 (476)
70/200
47 (476)
200
☆200
68 (686)
☆70/200
68 (686)
200
70/200
100 (107)
35/70/200
100 (107)
150 (157) ☆200
150 (157)
35/70/200 35/70/200
150 (157)
220 (227)
220 (227) 35/70/200 ☆35/70/200
330 (337)
导电性高分子电容器
☆100
☆70 ☆70
☆70
220 (227) ☆70
330 (337) ☆35/70/200 : 开发中
16
4.7 (475)
22 (226) 47 (476)
05
AS尺寸(3216超薄型规格) (ESR 单位 : mΩ)
容量 (μF)
330 (337) : 开发中
: 开发中
Passive Components
产品规格一览
TCTO系列 AL尺寸(3216薄型规格)
TCTO系列 M尺寸(1608规格) 漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) （25°C,5min值）(at 100kHz) (μF) (V) (mΩ) (μA) (%) 2.5 4 6.3 10
品名
15
8
3.8
500
TCTOM0E156x
22
8
5.5
500
TCTOM0E226x
10
8
4.0
500
TCTOM0G106x
15
8
6.0
500
TCTOM0G156x
6.8
6
4.3
500
TCTOM0J685x
10
8
6.3
500
2.2
6
2.2
3.3
6
4.7
6
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) （25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 2.5
100
10
25.0
200
TCTOAL0E107x
150
10
37.5
200
TCTOAL0E157x
4
68
10
27.2
200
TCTOAL0G686x
100
10
40.0
200
TCTOAL0G107x
47
10
29.7
200
TCTOAL0J476x
TCTOM0J106x
68
10
42.9
200
TCTOAL0J686x
500
TCTOM1A225x
100
15
63.0
70
TCTOAL0J107x
3.3
500
TCTOM1A335x
22
6
22.0
200
TCTOAL1A226x
4.7
500
TCTOM1A475x
33
10
33.0
200
TCTOAL1A336x
6.3
10
x = 静电容量误差 (M:±20%)
x = 静电容量误差 (M:±20%)
TCTO系列 P尺寸(2012规格)
TCTO系列 A尺寸(3216规格)
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C)（25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 2.5 4 6.3 10
品名
47
15
11.8
300
TCTOP0E476x
68
15
17.0
300
TCTOP0E686x
33
15
13.2
300
TCTOP0G336x
47
15
18.8
300
TCTOP0G476x
22
15
13.9
300
TCTOP0J226x
33
15
20.8
300
TCTOP0J336x
3.3
10
3.3
300
TCTOP1A335x
4.7
10
4.7
300
TCTOP1A475x
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C)（25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 2.5 4 6.3
15
55.0
35
TCTOA0E227x
330
15
82.5
35
TCTOA0E337x
150
15
60.0
35
TCTOA0G157x
220
15
88.0
35
TCTOA0G227x
100
15
63.0
35
TCTOA0J107x
150
15
94.5
35
TCTOA0J157x
47
10
47.0
200
TCTOA1A476x
68
15
68.0
200
TCTOA1A686x
10
10
16.0
200
TCTOA1C106x
10
6.8
10
6.8
300
TCTOP1A685x
16
10
15
10.0
300
TCTOP1A106x
20
6.8
10
13.6
200
TCTOA1D685x
15
15
15.0
300
TCTOP1A156x
25
4.7
10
11.8
200
TCTOA1E475x
x = 静电容量误差 (M:±20%) : 关于ESR值的详细信息，请另行咨询。
TCTO系列 AS尺寸(3216超薄型规格)
外形尺寸图
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C)（25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%)
4 6.3
10
品名
220
x = 静电容量误差 (M:±20%)
2.5
品名
H
品名 L
68
10
17.0
200
TCTOAS0E686x
100
10
25.0
200
TCTOAS0E107x
47
10
18.8
200
TCTOAS0G476x
68
10
27.2
200
TCTOAS0G686x
33
10
20.8
200
TCTOAS0J336x
47
10
29.7
200
TCTOAS0J476x
100
15
63.0
200
TCTOAS0J107x
3.3
6
3.3
200
TCTOAS1A335x
M (1608)
1.6±0.1
4.7
6
4.7
200
TCTOAS1A475x
P (2012)
6.8
6
6.8
200
TCTOAS1A685x
10
6
10.0
200
TCTOAS1A106x
15
6
15.0
200
22
6
22.0
200
W1 W2 W1
S
S (单位 : mm)
H
S
0.85±0.1 0.55±0.1
0.8±0.1
0.5±0.1
2.0±0.2
1.25±0.2 0.85±0.2
1.2Max
0.5±0.2
AS (3216超薄型)
3.2±0.2
1.6±0.2
1.2±0.2
0.9±0.1
0.8±0.2
AL (3216薄型)
3.2±0.2
1.6±0.2
1.2±0.2
1.1±0.1
0.8±0.2
TCTOAS1A156x
A (3216)
3.2±0.2
1.6±0.2
1.2±0.2
1.6±0.2
0.8±0.2
TCTOAS1A226x
BL (3528薄型)
3.5±0.2
2.8±0.2
2.0±0.2
1.2Max
0.8±0.3
规格
L
W1
W2
x = 静电容量误差 (M:±20%)
导电性高分子电容器
06
Passive Components
导电性高分子 标准型 TCO系列
构造
概要
特点
用途
该系列产品阴极采用
· 超低ESR、最适合去除噪音
· 笔记本电脑/周边设备
导电性高分子材料、大幅
· 高安全性
· DSC/DVC
减低ESR。
· 温度特性良好
· 汽车导航仪
(使用温度范围-55°C～105°C)
· 便携式游戏机 · 投影仪 · 一般电子设备
超低ESR、耐燃性
内部构造
银涂层 石墨层 阴极 ( 导电性高分子 )
以导电率高的高分子材料代替以往的二氧化锰作为阴极材料，大幅 放大
度降低了ESR。
电介体 (Ta2O5) 阳极 (Ta)
而且，相比以往产品，该系列在构造上大幅度减少冒烟、起火的危险。 元件
产品线
产品规格一览
B尺寸(3528规格)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
容量 (μF)
2.5
4
6.3
10
16
20
4.7 (475)
25 ☆150
6.8 (685)
☆150
10 (106)
☆100
☆150
15 (156) 22 (226) 33 (336)
150
70/150
47 (476)
150
70/150
68 (686)
150
150
☆15 35/45/150 ☆15 35/45/70/150
☆15/150
35/70/150
100 (107) 150 (157) 220 (227)
35/45/150
330 (337)
☆35/45/150 : 开发中
TCO系列 B尺寸(3528规格) 漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) (25°C,5min值) (at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 220 2.5 8 55.0 35 330 15 82.5 35 150 8 60.0 35 4 220 15 88.0 35 33 8 21.0 70 6.3 47 8 30.0 70 68 8 42.9 70 100 8 63.0 35 150 15 94.5 35 220 15 139.0 150 33 10 8 33.0 150 47 8 47.0 150 16 10 8 150 16.0 20 6.8 8 150 13.6 25 4.7 8 150 11.8 x = 静电容量误差 (M:±20%) : 关于ESR值的详细信息，请另行咨询。
外形尺寸图
(单位 : mm) W1
L H
W2 S
07
S
导电性高分子电容器
规格 B (3528)
L
W1
W2
H
S
3.5±0.2
2.8±0.2
1.9±0.2
1.9±0.2
0.8±0.3
品名 TCOB0E227x TCOB0E337x TCOB0G157x TCOB0G227x TCOB0J336x TCOB0J476x TCOB0J686x TCOB0J107x TCOB0J157x TCOB0J227x TCOB1A336x TCOB1A476x TCOB1C106x TCOB1D685x TCOB1E475x
Passive Components
推荐焊接条件 TCSO, TCTO, TCO系列 [ °C ] ⑤温度峰值 250
温度
220 200
③回流焊加热速度
150 100 50
② 预热
④ 焊接 ( 高温保持时间 )
① 预热速度
⑥ 冷却
0 时间
[ 回流焊接推荐条件 ]
[ 手工焊接条件 ]
①预热速度
: 2°C/s
①焊烙铁尖端温度
: 350°C Max.
②预热
: 150 ～ 180°C , 120s Max.
②时间
: 3s Max.
③回流焊加热速度
: 1.5°C/s
上述条件不适用于波峰焊。
④焊接（高温保持时间） : 220°C , 40s ⑤温度峰值
: 250°C , 5s Max.
⑥冷却
: 60s Min.
⑦回流焊次数
: 2 次 Max.
推荐焊盘尺寸 ( 单位 :mm)
系列 TCSO
X G Z
TCTO TCO
规格 M (1608) PL (2012薄型) P (2012) M (1608) P (2012) AS (3216超薄型) AL (3216薄型) A (3216) B (3528)
X 0.65
G 0.9
Z 2.3
0.95
1.2
3.0
0.65
0.65
2.2
0.95
1.1
2.9
1.25
1.7
4.1
2.7
1.4
5.6
导电性高分子电容器
08
Passive Components
品名构成 T
C
系列名称
S
O
M
规格
TCTO
M PL P AS AL A BL B
TCO
J
额定电压
规格名称
TCSO
0
代码
尺寸
1608 2012薄型 2012 3216超薄型 3216薄型 3216 3528薄型 3528
2
6
静电容量
额定电压(V)
0E
2.5
0G
4
0J
2
M
容量公差
pF标称容值为三位数 : 前两位为有效数字， 第三位代表零的个数。
记号 容量公差
8
R
记号 卷带宽度
8
上带方向 R：包装极性 阳极位于中导 孔的反面。
8mm
±20%
M
6.3
1A
10
1C
16
1D
20
1E
25
卷带规格 卷带用盘和包装数量
13 0.2
规格
系列名称
PL (2012薄型)
0 180 -1.5
+1 60 0
M (1608)
TCTO
4000
TCSO
3000
TCSO
P (2012) AS (3216超薄型)
卷带用 W1 W2 包装数量 卷带宽度 盘直径 +1.0 ±0.2(mm) (个) 0 0 (mm) ±1.0 (mm) −1.5 (mm)
TCTO
3000
8.0
180
9.0
11.4
AL (3216薄型) A (3216)
W1
BL (3528薄型) B (3528)
拉出方向
TCTO
2000
TCO
W2
标签粘贴位置
(单位:mm)
遵循EIAJ ET-7200B
编带方法 D0
E
B
F
M, PL, P, AS, AL, A, B规格 t1
W
A
Chip P1
P2
P0
t2
拉出方向
(单位:mm) 规格
A±0.1
B±0.1
TCSO
1.15
2.0
TCTO
1.0
1.85
PL (2012薄型)
1.6
2.4
P (2012)
1.55
2.3
AS (3216超薄型)
1.9
3.5
AL (3216薄型)
1.9
3.5
A (3216)
1.9
3.5
B (3528)
3.3
3.8
M (1608)
09
导电性高分子电容器
W±0.2
E±0.1
F±0.05
P1±0.1
P2±0.05
P0±0.1
D0 1.5 +0.1 0
t1±0.05 0.2 0.25
8.0
1.75
3.5
4.0
2.0
4.0
1.55±0.05
1.5 +0.1 0
1.0±0.1 1.05±0.05 1.32±0.1
1.5 +0.1 0
1.55±0.05
t2 1.1±0.1
1.1±0.1 0.25
1.3±0.05 1.9±0.1 2.2
Passive Components
安全应用指南 1
在使用本产品之前，请务必将产品安装于电路板进行性能的评估及确认。
2
在使用脉冲等瞬载负载 ( 短时间段较大负载 ) 的情况下，请务必将产品安装于电路板进行性能的评估及确认。另外，应避免功率超过正 常额定值。如果超过稳定加载状态的功率额定值，会严重影响产品的性能及可靠性。
3
输入纹波电压 / 电流时，钽电容器产生焦耳热。 请将上升温度与周围温度之差保持在 5°C 以下。 如果超过 5°C，电介体会发生劣化并造成自身发热，有导致短路的可能。
E = 容许纹波电压 E Max.(at 50°C)＝0.7×E Max.(at 25°C) E Max.(at 85°C)＝0.5×E Max.(at 25°C) E Max.(at 125°C)＝0.3×E Max.(at 25°C)
容许脉动电压有效值 (V)
①直流电压与交流电压的峰值之和不可超过额定电压。 ②在输入纹波电压情况下，请将纹波电压保持在右图所示数值以下。 但是，高温下的容许纹波电压请按如下公式换算。
at 25C
100
10
35V 25V 20V 16V 10V 6.3V
1
4V 2.5V
0.1 0.01
0.1
1
10
100
频率 (kHz)
4
请务必减轻电压。 特别是应用于低阻抗电路时，建议使用低于额定值 1/3 以下的电压。
5
请注意避免使测定针碰到电容器，以免产生过电压与逆电压。
6
85°C 以上时，请使用低电压。
7
建议使用串联 3/ V 外接电阻的电路。
8
高活性卤素 ( 如氯，溴等 ) 助溶剂的使用会严重影响产品的性能和可靠性。 请使用不含卤素的助溶剂。
9
原则上要求使用回流焊接，有关波峰焊的使用以及安装后的超音波洗净条件，请另与本公司联系。
10 故障主要是以热负荷、电气负荷、机械负荷等为主要原因的短路式偶发故障。 通过降低周边温度、减小脉冲电流、施加电压等，可以延缓导致故障模式的时间。
11 在以下电路中会出现不良情况，禁止使用。 (a) 高阻抗电压保持电路 (b) 耦合电路 (c) 因漏电流大受影响的电路 (d) 施加超过额定电压负荷的串联连接
12 不可并联连接使用。 13 本产品为铝包装（含硅胶）。 使用时，请在安装前开封，开封后请于 1 周内用完。 开封后超过 1 周以上的物品，请作以下加热处理。 处理条件 : 单品 105°C, 15±1 个小时 / 卷盘 40°C, 192 个小时
14 其他 根据周边环境及频率变动，电气特性会发生变化。 请在确认此类变化的基础上，设计电路。
导电性高分子电容器
10
2013
导电性高分子电容器
2012
10
No.55P6640C 10.2012
1
PDF
www.rohm.co.cn
Passive Components
Conductive Polymer Capacitors 导电性高分子电容器
导电性高分子电容器 导电性高分子钽电容，阴极材料采用导电性高分子。 取代钽电容等使用的二氧化锰，使用导电率高的导电性高分子， 大幅度减少了等效串联电阻（ESR）。 罗姆的导电性高分子电容器，由标准封装型开始， 目前以底面电极（大容量）类型扩充了产品线。 并且，拥有新底面电极（超大容量）类型，达到小型、薄型并且大容量。
01
导电性高分子电容器
Table of Contents
导电性高分子 新底面电极型(超大容量): TCSO系列
3
导电性高分子 底面电极型(大容量): TCTO系列
5
导电性高分子 标准型 : TCO系列
7
推荐焊接条件
8
品名构成
9
卷带规格
9
安全应用指南
10
导电性高分子电容器
02
Passive Components
导电性高分子 新底面电极型(超大容量) TCSO系列
构造
概要
特点
用途
超低ESR的导电性高分子
· 小型、薄型、超大容量
· 手机
电容器，采用高封装效率
· 超低ESR、最适合去除噪音
· 数码相机/摄像机
构造，达到小型、薄型、
· 高安全性
· 便携式音乐播放设备
大容量。
· 温度特性良好
· 便携式游戏机
（使用温度范围-55°C～105°C)
· 其他要求小型·薄型化 的一般电子产品
采用新封装构造，实现更加小型、薄型、超大容量。 采用新封装构造，能够放入比已有的底面电极构造产品更大的钽元件，相比以往产品(TCTO系列)， 可以实现约2倍的大容量。 新底面电极构造型 TCSO系列
以往底面电极构造型 TCTO系列
M尺寸 (1608-09[0603]) 10μF / 6.3V
相比已有的底面电极构造产品 实现约 2 倍的大容量
M尺寸 (1608-09[0603]) 22μF / 6.3V
超低ESR、高安全性。 TCSO系列通过阴极采用导电性高分子，虽为小型、薄型却实现了超低ESR。 并且，凭借导电性高分子的特性，具备自我修复功能，不易引发故障，保持较高安全性。 内部构造 银涂层 石墨层
放大
阴极 ( 导电性高分子 ) 电介体 (Ta2O5) 阳极 (Ta)
元件
底面电极构造封装
03
导电性高分子电容器
Passive Components
产品线
M尺寸(1608规格)
PL尺寸(2012薄型规格)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
容量 (μF)
2.5
4
6.3
容量 (μF)
10
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
2.5
4
6.3
10
6.8 (685)
300
6.8 (685)
10 (106)
300
10 (106)
200
300
15 (156)
200
300
22 (226)
15 (156) 22 (226)
300
33 (336)
300
47 (476)
300
300
200
33 (336)
68 (686)
200
47 (476)
200
68 (686)
200
200
200 150/200
: 开发中
P尺寸(2012规格)
: 开发中
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
容量 (μF)
2.5
4
6.3
10
15 (156)
300
22 (226)
300
33 (336)
300 300
47 (476) 68 (686)
300
100 (107)
300
300
300 : 开发中
产品规格一览
TCSO系列 M尺寸(1608规格)
TCSO系列 PL尺寸(2012薄型规格)
ESR 漏电流 tan 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) (25°C,5min值) (at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%)
2.5 4 6.3 10
ESR 漏电流 tan 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) (25°C,5min值) (at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%)
品名
33
15
8.5
300
TCSOM0E336x
47
15
11.8
300
TCSOM0E476x
22
15
8.8
300
TCSOM0G226x
33
15
13.2
300
TCSOM0G336x
15
15
9.5
300
TCSOM0J156x
22
15
13.9
300
TCSOM0J226x
6.8
10
6.8
300
TCSOM1A685x
10
15
10
300
TCSOM1A106x
2.5 4 6.3
10
品名
47
15
11.8
200
TCSOPL0E476x
68
15
17.0
200
TCSOPL0E686x
33
15
13.2
200
TCSOPL0G336x
47
15
18.8
200
TCSOPL0G476x
22
15
13.9
200
TCSOPL0J226x
33
15
20.8
200
TCSOPL0J336x
47
15
29.7
200
TCSOPL0J476x
10
15
10.0
200
TCSOPL1A106x
15
15
15.0
200
TCSOPL1A156x
外形尺寸图
(单位 : mm)
L
规格
W1
W2
H
S
0.85±0.1
0.55±0.1
0.8±0.2
0.5±0.1
PL (2012 薄型 )
L 1.6+0.2 -0 2.0±0.2
1.25±0.2
0.85±0.2
0.9±0.1
0.5±0.1
P (2012)
2.0±0.2
1.25±0.2
0.85±0.2
1.2Max
0.5±0.1
M (1608)
H
W1 W2 S
S
导电性高分子电容器
04
Passive Components
导电性高分子 底面电极型 ( 大容量 ) TCTO系列
构造
概要
特点
用途
这是将超低ESR的导电性高分子
· 小型、薄型、大容量
· 笔记本电脑/周边设备
钽电容器结合实现小型、薄型、
· 丰富的封装产品线
· DSC/DVC
[M规格(1608)～A规格(3216)]
大容量的底面电极构造封装的 超高性能系列。
超低ESR、高安全性
· 汽车导航仪
· 超低ESR、最适合去除噪音
· 便携式游戏机
· 温度特性良好
· 投影仪
(使用温度范围-55°C～105°C)
· 一般电子设备
内部构造
银涂层 石墨层
放大
TCO系列通过将销路很好的导电性高分子型“超低ESR” “高安全性”
阴极 ( 导电性高分子 ) 电介体 (Ta2O5)
结合底面电极构造封装，进一步实现了小型、薄型、大容量。
元件
阳极 (Ta)
底面电极构造封装
产品线
M尺寸(1608规格) 容量 (μF)
P尺寸(2012规格)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
2.2 (225)
500
2.2 (225)
3.3 (335)
500
3.3 (335)
☆300
3.3 (335)
☆200
☆500
4.7 (475)
☆300
4.7 (475)
☆200
☆500
6.8 (685)
☆300
6.8 (685)
☆200
☆500
10 (106)
300
10 (106)
☆200
15 (156)
☆300
15 (156)
☆200
4
6.3
6.8 (685) 10 (106)
☆500
15 (156) ☆500
☆500
2.5
4
6.3
22 (226)
33 (336)
33 (336)
47 (476)
47 (476)
☆300
68 (686)
68 (686)
☆300
100 (107)
100 (107)
☆300
☆300
22 (226)
☆300
33 (336)
额定电压 (V, DC) 2.5
4
6.3
10
2.5
4
6.3
10
☆200 ☆200
47 (476)
☆300
: 开发中
容量 (μF)
10
2.2 (225)
22 (226) ☆500
AL尺寸(3216薄型规格)(ESR 单位 : mΩ)
容量 (μF)
额定电压 (V, DC)
10
2.5
4.7 (475)
☆200
68 (686)
☆200
100 (107)
☆200
200
☆200 ☆70
: 开发中
A尺寸(3216规格) 容量 (μF)
(ESR 单位 : mΩ) 额定电压 (V, DC)
2.5
4
6.3
10
16
20
25
: 开发中
BL尺寸(3528薄型规格) 容量 (μF)
4.7 (475)
4.7 (475)
6.8 (685)
6.8 (685)
10 (106)
10 (106)
15 (156)
15 (156)
15 (156)
☆200
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC) 2.5
4
6.3
10
6.8 (685)
☆200
10 (106)
☆200
200
22 (226)
22 (226)
33 (336)
200
33 (336)
33 (336)
☆100 ☆100
68 (686) 100 (107) ☆200
200
47 (476)
70/200
47 (476)
200
☆200
68 (686)
☆70/200
68 (686)
200
70/200
100 (107)
35/70/200
100 (107)
150 (157) ☆200
150 (157)
35/70/200 35/70/200
150 (157)
220 (227)
220 (227) 35/70/200 ☆35/70/200
330 (337)
导电性高分子电容器
☆100
☆70 ☆70
☆70
220 (227) ☆70
330 (337) ☆35/70/200 : 开发中
16
4.7 (475)
22 (226) 47 (476)
05
AS尺寸(3216超薄型规格) (ESR 单位 : mΩ)
容量 (μF)
330 (337) : 开发中
: 开发中
Passive Components
产品规格一览
TCTO系列 AL尺寸(3216薄型规格)
TCTO系列 M尺寸(1608规格) 漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) （25°C,5min值）(at 100kHz) (μF) (V) (mΩ) (μA) (%) 2.5 4 6.3 10
品名
15
8
3.8
500
TCTOM0E156x
22
8
5.5
500
TCTOM0E226x
10
8
4.0
500
TCTOM0G106x
15
8
6.0
500
TCTOM0G156x
6.8
6
4.3
500
TCTOM0J685x
10
8
6.3
500
2.2
6
2.2
3.3
6
4.7
6
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) （25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 2.5
100
10
25.0
200
TCTOAL0E107x
150
10
37.5
200
TCTOAL0E157x
4
68
10
27.2
200
TCTOAL0G686x
100
10
40.0
200
TCTOAL0G107x
47
10
29.7
200
TCTOAL0J476x
TCTOM0J106x
68
10
42.9
200
TCTOAL0J686x
500
TCTOM1A225x
100
15
63.0
70
TCTOAL0J107x
3.3
500
TCTOM1A335x
22
6
22.0
200
TCTOAL1A226x
4.7
500
TCTOM1A475x
33
10
33.0
200
TCTOAL1A336x
6.3
10
x = 静电容量误差 (M:±20%)
x = 静电容量误差 (M:±20%)
TCTO系列 P尺寸(2012规格)
TCTO系列 A尺寸(3216规格)
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C)（25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 2.5 4 6.3 10
品名
47
15
11.8
300
TCTOP0E476x
68
15
17.0
300
TCTOP0E686x
33
15
13.2
300
TCTOP0G336x
47
15
18.8
300
TCTOP0G476x
22
15
13.9
300
TCTOP0J226x
33
15
20.8
300
TCTOP0J336x
3.3
10
3.3
300
TCTOP1A335x
4.7
10
4.7
300
TCTOP1A475x
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C)（25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 2.5 4 6.3
15
55.0
35
TCTOA0E227x
330
15
82.5
35
TCTOA0E337x
150
15
60.0
35
TCTOA0G157x
220
15
88.0
35
TCTOA0G227x
100
15
63.0
35
TCTOA0J107x
150
15
94.5
35
TCTOA0J157x
47
10
47.0
200
TCTOA1A476x
68
15
68.0
200
TCTOA1A686x
10
10
16.0
200
TCTOA1C106x
10
6.8
10
6.8
300
TCTOP1A685x
16
10
15
10.0
300
TCTOP1A106x
20
6.8
10
13.6
200
TCTOA1D685x
15
15
15.0
300
TCTOP1A156x
25
4.7
10
11.8
200
TCTOA1E475x
x = 静电容量误差 (M:±20%) : 关于ESR值的详细信息，请另行咨询。
TCTO系列 AS尺寸(3216超薄型规格)
外形尺寸图
漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C)（25°C,5min值）(at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%)
4 6.3
10
品名
220
x = 静电容量误差 (M:±20%)
2.5
品名
H
品名 L
68
10
17.0
200
TCTOAS0E686x
100
10
25.0
200
TCTOAS0E107x
47
10
18.8
200
TCTOAS0G476x
68
10
27.2
200
TCTOAS0G686x
33
10
20.8
200
TCTOAS0J336x
47
10
29.7
200
TCTOAS0J476x
100
15
63.0
200
TCTOAS0J107x
3.3
6
3.3
200
TCTOAS1A335x
M (1608)
1.6±0.1
4.7
6
4.7
200
TCTOAS1A475x
P (2012)
6.8
6
6.8
200
TCTOAS1A685x
10
6
10.0
200
TCTOAS1A106x
15
6
15.0
200
22
6
22.0
200
W1 W2 W1
S
S (单位 : mm)
H
S
0.85±0.1 0.55±0.1
0.8±0.1
0.5±0.1
2.0±0.2
1.25±0.2 0.85±0.2
1.2Max
0.5±0.2
AS (3216超薄型)
3.2±0.2
1.6±0.2
1.2±0.2
0.9±0.1
0.8±0.2
AL (3216薄型)
3.2±0.2
1.6±0.2
1.2±0.2
1.1±0.1
0.8±0.2
TCTOAS1A156x
A (3216)
3.2±0.2
1.6±0.2
1.2±0.2
1.6±0.2
0.8±0.2
TCTOAS1A226x
BL (3528薄型)
3.5±0.2
2.8±0.2
2.0±0.2
1.2Max
0.8±0.3
规格
L
W1
W2
x = 静电容量误差 (M:±20%)
导电性高分子电容器
06
Passive Components
导电性高分子 标准型 TCO系列
构造
概要
特点
用途
该系列产品阴极采用
· 超低ESR、最适合去除噪音
· 笔记本电脑/周边设备
导电性高分子材料、大幅
· 高安全性
· DSC/DVC
减低ESR。
· 温度特性良好
· 汽车导航仪
(使用温度范围-55°C～105°C)
· 便携式游戏机 · 投影仪 · 一般电子设备
超低ESR、耐燃性
内部构造
银涂层 石墨层 阴极 ( 导电性高分子 )
以导电率高的高分子材料代替以往的二氧化锰作为阴极材料，大幅 放大
度降低了ESR。
电介体 (Ta2O5) 阳极 (Ta)
而且，相比以往产品，该系列在构造上大幅度减少冒烟、起火的危险。 元件
产品线
产品规格一览
B尺寸(3528规格)
(ESR 单位 : mΩ)
额定电压 (V, DC)
容量 (μF)
2.5
4
6.3
10
16
20
4.7 (475)
25 ☆150
6.8 (685)
☆150
10 (106)
☆100
☆150
15 (156) 22 (226) 33 (336)
150
70/150
47 (476)
150
70/150
68 (686)
150
150
☆15 35/45/150 ☆15 35/45/70/150
☆15/150
35/70/150
100 (107) 150 (157) 220 (227)
35/45/150
330 (337)
☆35/45/150 : 开发中
TCO系列 B尺寸(3528规格) 漏电流 tan ESR 额定电压 静电容量 at 120Hz(25°C) (25°C,5min值) (at 100kHz) (V) (μF) (mΩ) (μA) (%) 220 2.5 8 55.0 35 330 15 82.5 35 150 8 60.0 35 4 220 15 88.0 35 33 8 21.0 70 6.3 47 8 30.0 70 68 8 42.9 70 100 8 63.0 35 150 15 94.5 35 220 15 139.0 150 33 10 8 33.0 150 47 8 47.0 150 16 10 8 150 16.0 20 6.8 8 150 13.6 25 4.7 8 150 11.8 x = 静电容量误差 (M:±20%) : 关于ESR值的详细信息，请另行咨询。
外形尺寸图
(单位 : mm) W1
L H
W2 S
07
S
导电性高分子电容器
规格 B (3528)
L
W1
W2
H
S
3.5±0.2
2.8±0.2
1.9±0.2
1.9±0.2
0.8±0.3
品名 TCOB0E227x TCOB0E337x TCOB0G157x TCOB0G227x TCOB0J336x TCOB0J476x TCOB0J686x TCOB0J107x TCOB0J157x TCOB0J227x TCOB1A336x TCOB1A476x TCOB1C106x TCOB1D685x TCOB1E475x
Passive Components
推荐焊接条件 TCSO, TCTO, TCO系列 [ °C ] ⑤温度峰值 250
温度
220 200
③回流焊加热速度
150 100 50
② 预热
④ 焊接 ( 高温保持时间 )
① 预热速度
⑥ 冷却
0 时间
[ 回流焊接推荐条件 ]
[ 手工焊接条件 ]
①预热速度
: 2°C/s
①焊烙铁尖端温度
: 350°C Max.
②预热
: 150 ～ 180°C , 120s Max.
②时间
: 3s Max.
③回流焊加热速度
: 1.5°C/s
上述条件不适用于波峰焊。
④焊接（高温保持时间） : 220°C , 40s ⑤温度峰值
: 250°C , 5s Max.
⑥冷却
: 60s Min.
⑦回流焊次数
: 2 次 Max.
推荐焊盘尺寸 ( 单位 :mm)
系列 TCSO
X G Z
TCTO TCO
规格 M (1608) PL (2012薄型) P (2012) M (1608) P (2012) AS (3216超薄型) AL (3216薄型) A (3216) B (3528)
X 0.65
G 0.9
Z 2.3
0.95
1.2
3.0
0.65
0.65
2.2
0.95
1.1
2.9
1.25
1.7
4.1
2.7
1.4
5.6
导电性高分子电容器
08
Passive Components
品名构成 T
C
系列名称
S
O
M
规格
TCTO
M PL P AS AL A BL B
TCO
J
额定电压
规格名称
TCSO
0
代码
尺寸
1608 2012薄型 2012 3216超薄型 3216薄型 3216 3528薄型 3528
2
6
静电容量
额定电压(V)
0E
2.5
0G
4
0J
2
M
容量公差
pF标称容值为三位数 : 前两位为有效数字， 第三位代表零的个数。
记号 容量公差
8
R
记号 卷带宽度
8
上带方向 R：包装极性 阳极位于中导 孔的反面。
8mm
±20%
M
6.3
1A
10
1C
16
1D
20
1E
25
卷带规格 卷带用盘和包装数量
13 0.2
规格
系列名称
PL (2012薄型)
0 180 -1.5
+1 60 0
M (1608)
TCTO
4000
TCSO
3000
TCSO
P (2012) AS (3216超薄型)
卷带用 W1 W2 包装数量 卷带宽度 盘直径 +1.0 ±0.2(mm) (个) 0 0 (mm) ±1.0 (mm) −1.5 (mm)
TCTO
3000
8.0
180
9.0
11.4
AL (3216薄型) A (3216)
W1
BL (3528薄型) B (3528)
拉出方向
TCTO
2000
TCO
W2
标签粘贴位置
(单位:mm)
遵循EIAJ ET-7200B
编带方法 D0
E
B
F
M, PL, P, AS, AL, A, B规格 t1
W
A
Chip P1
P2
P0
t2
拉出方向
(单位:mm) 规格
A±0.1
B±0.1
TCSO
1.15
2.0
TCTO
1.0
1.85
PL (2012薄型)
1.6
2.4
P (2012)
1.55
2.3
AS (3216超薄型)
1.9
3.5
AL (3216薄型)
1.9
3.5
A (3216)
1.9
3.5
B (3528)
3.3
3.8
M (1608)
09
导电性高分子电容器
W±0.2
E±0.1
F±0.05
P1±0.1
P2±0.05
P0±0.1
D0 1.5 +0.1 0
t1±0.05 0.2 0.25
8.0
1.75
3.5
4.0
2.0
4.0
1.55±0.05
1.5 +0.1 0
1.0±0.1 1.05±0.05 1.32±0.1
1.5 +0.1 0
1.55±0.05
t2 1.1±0.1
1.1±0.1 0.25
1.3±0.05 1.9±0.1 2.2
Passive Components
安全应用指南 1
在使用本产品之前，请务必将产品安装于电路板进行性能的评估及确认。
2
在使用脉冲等瞬载负载 ( 短时间段较大负载 ) 的情况下，请务必将产品安装于电路板进行性能的评估及确认。另外，应避免功率超过正 常额定值。如果超过稳定加载状态的功率额定值，会严重影响产品的性能及可靠性。
3
输入纹波电压 / 电流时，钽电容器产生焦耳热。 请将上升温度与周围温度之差保持在 5°C 以下。 如果超过 5°C，电介体会发生劣化并造成自身发热，有导致短路的可能。
E = 容许纹波电压 E Max.(at 50°C)＝0.7×E Max.(at 25°C) E Max.(at 85°C)＝0.5×E Max.(at 25°C) E Max.(at 125°C)＝0.3×E Max.(at 25°C)
容许脉动电压有效值 (V)
①直流电压与交流电压的峰值之和不可超过额定电压。 ②在输入纹波电压情况下，请将纹波电压保持在右图所示数值以下。 但是，高温下的容许纹波电压请按如下公式换算。
at 25C
100
10
35V 25V 20V 16V 10V 6.3V
1
4V 2.5V
0.1 0.01
0.1
1
10
100
频率 (kHz)
4
请务必减轻电压。 特别是应用于低阻抗电路时，建议使用低于额定值 1/3 以下的电压。
5
请注意避免使测定针碰到电容器，以免产生过电压与逆电压。
6
85°C 以上时，请使用低电压。
7
建议使用串联 3/ V 外接电阻的电路。
8
高活性卤素 ( 如氯，溴等 ) 助溶剂的使用会严重影响产品的性能和可靠性。 请使用不含卤素的助溶剂。
9
原则上要求使用回流焊接，有关波峰焊的使用以及安装后的超音波洗净条件，请另与本公司联系。
10 故障主要是以热负荷、电气负荷、机械负荷等为主要原因的短路式偶发故障。 通过降低周边温度、减小脉冲电流、施加电压等，可以延缓导致故障模式的时间。
11 在以下电路中会出现不良情况，禁止使用。 (a) 高阻抗电压保持电路 (b) 耦合电路 (c) 因漏电流大受影响的电路 (d) 施加超过额定电压负荷的串联连接
12 不可并联连接使用。 13 本产品为铝包装（含硅胶）。 使用时，请在安装前开封，开封后请于 1 周内用完。 开封后超过 1 周以上的物品，请作以下加热处理。 处理条件 : 单品 105°C, 15±1 个小时 / 卷盘 40°C, 192 个小时
14 其他 根据周边环境及频率变动，电气特性会发生变化。 请在确认此类变化的基础上，设计电路。
导电性高分子电容器
10
2013
导电性高分子电容器
2012
10
No.55P6640C 10.2012
1
www.rohm.co.cn
